扩散炉是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一，用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺

   扩散/氧化炉是半导体生产线重要工艺，扩散是在高温条件下，利用热扩散原理将杂质元素按要求的深度掺入硅衬底中，使其具有特定的浓度分布，达到改变材料的电学特性，形成半导体器件结构的目的。可用于制作PN结或构成集成电路中的电阻、电容、二极管和晶体管等器件。氧化是将硅片放置于氧气或水蒸气的氛围中进行高温热处理，在硅片表面形成氧化膜的过程，可作为离子注入的阻挡层及注入穿透层、表面钝化、器件结构的介质层等。

扩散炉有垂直扩散炉（vertical）和水平扩散炉（horizontal）两种类型。

垂直扩散炉是石英舟垂直于水平面，更加有利于机械手传送硅片，片内工艺参数一致性更好。

水平扩散炉是石英舟平行于水平面，一台可以4个或4个以上的工艺炉管，平均炉管的占地面积更小，片间的工艺参数较垂直扩散炉更好。

扩散炉由控制系统、进出舟系统、炉体加热系统和气体控制系统等组成。

控制部分包括：温控器、功率部件、超温保护部件、系统控制。

系统控制部分有四个独立的计算机控制单元，分别控制每层炉管的推舟、炉温及气路部分，是扩散/氧化系统的控制中心。

辅助控制系统，包括推舟控制装置、保护电路、电路转接控制、三相电源指示灯、照明、净化及抽风开关等。

         较先进的扩散炉控制系统均已更新或升级到微机控制，管机与主机间通过串口RS232或网线进行通信。控制系统软件大多基于Windows系统，实用性和可操作性大大提高，能够实现日志记录，曲线记录，程序编辑，远程控制等多种功能。

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